В монографии рассматриваются тепловые модели и параметры мощных транзисторов с учетом эффектов неоднородного токораспределения и внутренней тепловой обратной связи в транзисторных структурах. Анализируется влияние разброса тепловых параметров на характеристики транзисторных схем. Описываются оригинальные автоматизированные методы и средства контроля теплофизи-ческих параметров мощных транзисторов, включая параметры тепловой неустойчивости. Приводятся результаты экспериментальных исследований зависимости тепловых параметров транзисторов от параметров теплового режима и внешних факторов. Приводятся также результаты выборочных испытаний различных типов приборов, даны рекомендации по выбору информативных параметров и режимов их измерения для повышения эффективности отбраковки. Книга предназначена для инженерно-технических работников и специалистов, занимающихся разработкой и производством полупроводниковых приборов и аппаратуры с их применением.