Пособие содержит изложение основ теории спирально-дислокационного роста кристаллов. Приводятся основные сведения о процессе кристаллизации и методах выращивания. Дается описание интерференционной системы, которая используется для наблюдения на образцах малых размеров морфологии поверхности растущей грани. Описывается устройство кристаллизационной установки для скоростного выращивания крупных водорастворимых монокристаллов размерами до 10?10?2 см и принципы управления процессом выращивания. В пособие включены контрольные вопросы и задания. Обучающиеся знакомятся с геометрией ростовых дислокационных холмиков (на примере KDP), которые обеспечивают рост граней кристалла, определяют из анализа снимков поверхности грани кинетические характеристики роста в зависимости от условий кристаллизации (пересыщении, температуры, макросостава раствора) и проверяют основные соотношения теории послойного роста кристаллов в случае винтовых дислокаций. Далее полученные навыки применяются при выращивании в кристаллизационной установке крупного кристалла KDP.
Электронное учебно-методическое пособие предназначено для студентов ННГУ, обучающихся по основным образовательным программам 011200.62 "Физика", изучающих курс "Образование кристаллов", и 011200.68 "Физика", выполняющих лабораторные работы в рамках дисциплины "Специальный физический практикум".